韩国发布半导体专利审查实践指南：审查标准更细化，创造性判断可预期性提升

韩国知识产权部宣布，将制定并发布《半导体领域专利审查实践指南》。这份指南的核心作用，是进一步明确半导体领域专利审查中的判断标准，提升企业对审查结果的可预期性，并帮助企业更早获得质量更高的专利保护。从政策目标看，韩国希望通过更清晰的审查规则，回应半导体产业技术迭代快、专利竞争激烈的现实需求，进而支撑本国企业在关键技术竞争中持续拉开技术差距。

背景：半导体技术快速演进，产业对审查标准提出更高要求

当前半导体产业正处于快速升级阶段。EUV（极紫外）光刻、非晶碳硬掩膜、HBM，以及面向下一代人工智能的半导体技术，如NPU、PIM等，正在持续推动器件向更小型化、更高集成度和更高速度发展。在这一背景下，产业界越来越明确地提出要求：专利审查不能停留在一般性的规则适用上，而应更充分体现半导体技术本身的研发逻辑和行业特征。

韩国知识产权部此次出台指南，正是对这一诉求的回应。主管部门围绕“专利性判断需要更清晰标准”的意见，对半导体领域实际审查中的高频问题进行筛选、整理，并按照专利法上的判断条款及问题类型进行分类，最终形成专门的审查实践指南。

值得注意的是，根据企业和专利代理师的调查结果，产业界对“创造性判断标准”不明确的不满程度最高。这也是本次指南重点着墨的部分。

指南聚焦三类核心问题

这份《半导体领域专利审查实践指南》主要围绕三方面，提出更具体的判断标准：

1. 发明说明书的记载要求：重点在于如何判断发明是否满足可实施性要求。也就是说，仅凭说明书记载，所属技术领域的技术人员能否据以实现该发明。

2. 权利要求书的记载要求：重点在于如何判断权利要求是否存在表述不清、范围不明确等问题，避免保护范围失焦或难以执行。

3. 包括创造性在内的专利要件，重点在于如何判断：

• 现有技术之间的结合是否属于容易想到；
• 申请方案是否仅属于简单的设计变更；
• 现有技术是否足以否定申请发明的创造性。

这三个问题基本覆盖了半导体专利审查中最容易出现分歧、也最直接影响授权结果的关键环节。

指南并非抽象原则，而是以典型情形和案例说明判断路径

此次指南的一个重要特点，是并不只停留在原则层面，而是进一步归纳了审查中经常出现的典型情形，并结合半导体领域的实际案例，说明相应的判断方法。例如：

• 关于说明书记载要求：如果结合半导体领域的相关论文和技术常识来看，仅依据说明书记载的信息，权利要求中的发明仍无法在技术上实现，那么就可能被认定为不满足可实施性要求。

这意味着，在半导体专利撰写中，仅有概念性描述或结果性表述，可能不足以支撑授权，尤其是在工艺条件、结构关系、材料参数、性能实现路径等方面，说明书需要提供更充分的技术支撑。

关于创造性判断：如果现有技术中只是以较上位、概念性的结构提到某类技术方案，但并未公开申请发明所采用的具体构成及其带来的效果，那么不能仅凭这种概括性公开就否定申请发明的创造性。

这一点对半导体企业尤其重要。因为在该领域，很多技术进步并非体现在“大方向”本身，而是体现在具体层次结构、材料选择、制程顺序、参数控制及性能效果之间的组合关系。指南在这里传递出的判断倾向是：不能因为现有技术在概念上“似乎接近”，就直接认定申请方案显而易见。

PBP权利要求也被纳入，回应半导体领域常见申请方式

指南还特别纳入了半导体领域中经常出现的Product-by-Process（PBP）权利要求的专利性判断方法。这类权利要求以制造方法或工艺过程来界定产品，本身就是半导体案件中的高频问题，尤其在产品结构难以直接完整表述、但工艺路径又决定产品特征时更为常见。

将PBP权利要求纳入专门说明，意味着韩国审查机关试图对这一类复杂申请形态提供更清晰的操作标准。这有助于企业在撰写申请文件时，更准确地判断何时适合采用PBP表述，以及如何为其专利性提供支持。